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RRC工艺涂胶胶厚均匀性优化研究
江月艳;张世权
【摘要】Somemethodhadbeenusedtoreducethesemiconductor
manufacturecost,suchasreducingphotoresistconsumption,whichresultinthe
uniformityofphotoresistbecomingmorelager.Photoresistuniformityand
thicknessaretheimportantprocessparameterwhichcouldinfluencethequality
ofexposalprocess.Bychangingchuckrotationspeed,pumpvelocity,exhaust,
thebestprocessconditionforRRCprocesshasbeenaccomplished,the
relationshipbetweenphotoresistuniformityandotherprocessconditionhas
beendeveloped;Thephotoresistuniformityandthicknesscanbecontrolled
steadilyandmakesurethesteadyofthefabprocess.%为降低涂胶工序的生产成本，
减少光刻胶的用量，需要在涂胶工艺上不断改进和提高。从原来传统的涂胶工艺到RRC
（ReducedResistConsumption）工艺，能够使光刻胶的用量减少，而随着光刻胶用量
的减少，圆片上胶厚的均匀性也在发生剧烈的变化。同时光刻涂胶工序最重要的工艺要求
就是胶厚和均匀性，它直接影响着后续曝光工艺的稳定性。在RRC工艺下，通过对喷胶
转速、排风、喷胶速率等涂胶参数进行多次试验，最终找出影响胶厚均匀性的参数及其调
整方法，来达到工艺要求的胶厚及均匀性，保障工艺生产的稳定性。
【期刊名称】《电子与封装》
【年(卷),期】2014(000)008
【总页数】3页(P42-44)
【关键词】光刻;涂胶;均匀性;RRC
【作者】江月艳;张世权
【作者单位】中国电子科技集团公司第58研究所，江苏无锡214035;中国电子科技
集团公司第58研究所，江苏无锡214035
【正文语种】中文
【中图分类】TN305.7
半导体市场竞争变得越来越激烈，最终成功与否，关键取决于迅速涌现出的新型制造
能力在生产线运作的高成品率指标的体现，而在提高成品率的前提下，如何降低生产成本
已成为现代IC生产线提高其自身竞争力的一个重要因素。为此，在半导体工艺中采用改
良后的涂胶方式，在大量降低光刻胶使用量的同时保证光刻质量，来提高生产线的竞争力。
RRC工艺的涂胶过程总共9步[1]：
第一步，溶剂的喷嘴移到圆片的中心；第二步，静止状态下将溶剂喷到圆片上；第三
步，光刻胶的喷嘴移到圆片中心，而圆片在很短的时间里旋转起来，这样在圆片表面形成
了一层溶剂的膜，这层膜改进了圆片表面光刻胶的可湿性（这是RRC工艺区别于传统涂
胶工艺的关键点）；第四步，喷光刻胶，为了让光刻胶迅速涂满整张圆片，一般在相对较
高的速度下通过溶剂的薄膜覆盖整个圆片；第五步，在光刻胶喷出后突然降低圆片的旋转
速度，以此来平滑这个光刻胶表面，这对之后调整光刻胶膜的形状以及涂胶的问题特别是
对胶厚均匀性是非常有用的；第六步，光刻胶干燥，在这一步中光刻胶在圆片表面形成薄
膜；第七步，BACKRINSE以及EBR在这步实行；第八步，将上一步的各种溶液甩掉；
第九步，停止旋转结束涂胶。
在调整胶厚的过程中，涂胶工艺的各个过程都影响着光刻胶的均匀性及胶厚[2~3]，
因此研究涂胶过程的各个环节对调整胶厚均匀性有较大意义，下面就主要影响胶厚均匀性
的因素做进一步研究。
2.1光刻胶喷胶时圆片转速与胶厚均匀性的关系
光刻胶喷胶时圆片的转速与胶厚均匀性有着
